近日，全球存储大厂SK海力士公布了其最新的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品。SK海力士表示，与232层产品相比，单位容量提升了41%，延迟降低了13%，性能提升了12%，功耗降低了10%，并且生产效率也提升了59%，算下来成本降了至少50%。

而三星也表示，自己的300+层的4D NAND闪存，即将推出，而下一代产品将超过400层。

同样的还有美光，也表示即将推出300+层的NAND闪存，很明显这三大厂，时隔一年之后，要正式进入300层时代了。

(资料图)

对于NAND产品而言，不能一味的提升工艺，因为工艺达到15nm后，再提升的话，NAND闪存就不稳定。所以厂商们转向立体结构，多层堆叠，NAND层数越多，意味着存储密度越高，容量密度下的成本越低。

举个简单例子，大家就能够懂了。以前128层的1TB NAND芯片，需要200块，那么232层时，1TB的NAND芯片，只要100块左右，如果变成321层的话，可能只要50块了。

所以NAND芯片厂商们，想要提升技术、降低成本的办法，不像逻辑芯片一样，提升工艺，而是增加层数，采用立体结构来堆叠。

事实上，在232层这个档次，长江存储是全球第一家量产的。

去年下半年，长江存储成为全球首个量产232层NAND闪存的厂商，然后才是美光、SK海力士、三星。这意味着国产存储是真的支棱起来了。

但也正因为长江存储太优秀了，让美国害怕，所以美国在去年10月份，对长江存储进行了制裁，长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍，更不要说232层了。

先进设备买不到，甚至已经买到的先进设备，后续维修、更换备件都不行，这严重影响到了长江存储的产能，更重要的是影响到了技术发展。

而这也正是美国的目的，本来长江存储技术全球领先，那么依托这个232层的技术，长江存储可以迅速抢占市场，赢得最为宝贵的窗口时期。

但美国的制裁一下来，这个窗口时期就没有了，然后美光、三星、SK海力士等追了上来，直到现在这三大厂商，在技术上还反超了，让长存从领先变成了落后。

而一旦这些厂商300+层的NAND闪存推出，市场慢慢的就会又被这些厂商抢走。

可见，依赖别人技术的突破，真的还是有风险的，一旦别人进行制裁，技术发展路线可能就会被打断，从而出现危机。

我们需要的，还是全产业链的突破，举个例子，如果长江存储的232层突破，是基于国产设备的突破，那美国的制裁将毫无意义。

所以，国产半导体加油吧，我们不仅仅需要的是技术突破，更需要全产业链都跟上来，没有短板才行。